ЕТ1663РА06В4(01)

Полупроводниковая микросхема памяти в корпусе 48TSOP1, рассчитанная на напряжение 3,3 В.

ET1663RA06V4

Описание

Полупроводниковая микросхема памяти в корпусе 48TSOP1, рассчитанная на напряжение 3,3 В.

Рабочие температуры от -40 до +85 °C.

Обеспечивает хранение данных и параметров конфигурации в управляющих и вычислительных модулях.

Характеристики

партномер
ET1663RA06V4
тип корпуса
48TSOP1
тип
ПАМЯТЬ (MEMORY)
температурный диапазон
-40°С…+85°С °C
напряжение питания
3,3 В