ЕТ1663РА06В4(01)
Полупроводниковая микросхема памяти в корпусе 48TSOP1, рассчитанная на напряжение 3,3 В.
Описание(02)
Полупроводниковая микросхема памяти в корпусе 48TSOP1, рассчитанная на напряжение 3,3 В.
Рабочие температуры от -40 до +85 °C.
Обеспечивает хранение данных и параметров конфигурации в управляющих и вычислительных модулях.
Характеристики
- партномер
- ET1663RA06V4
- тип корпуса
- 48TSOP1
- тип
- ПАМЯТЬ (MEMORY)
- температурный диапазон
- -40°С…+85°С °C
- напряжение питания
- 3,3 В